一、产品性能
化学机械抛光(CMP)是从微电子装置晶片的表面去除材料，并通过偶合物理工艺(例如磨蚀)与化学工艺(例如氧化或螯合)抛光(例如平坦化)表面的工艺，另外，在集成电路的制造中，CMP浆料亦应能够优先去除包含金属和其它材料的络合层的膜，从而可产生用于后续光刻或图案化、蚀刻和薄膜加工的高度平坦的表面。相对于含二氧化硅的浆料，对于绝缘体而言使用氧化铈粒子的CMP浆料通常达成较快研磨速度。此外，基于氧化铈的浆料由于其在*小氧化物侵蚀的情况下达成图案平坦化的能力而*常使用。不利地，由于氧化铈粒子相对于氧化硅和氮化硅表面带相反电荷的ζ电位，故基于氧化铈的浆料难以去除。如果制造具有此些残余物残留于晶片上的装置，那么所述残余物将导致短路和电阻增加。当前，用于去除氧化铈粒子的*有效湿清洁调配物为稀氢氟酸。然而，氢氟酸不利地蚀刻氧化硅和其它低k介电材料。本产品由铈-氧键断裂化合物及其它功能性助剂复配而成，可有效地从微电子装置的表面去除氧化铈粒子，同时不损害例如氮化硅层、低k介电(例如，氧化硅)层和含钨层的底层材料。
二、技术指标
外观：淡黄色液体
pH：<4
三、产品用途
本品主要用于从上面有氧化铈粒子和CMP污染物的微电子装置，尤其具有PETEOS、氮化硅和多晶硅衬底的微电子装置清洁所述粒子和CMP污染物。。
四、包装
25公斤塑料桶。
生产制造商：郑州洁灵科技有限公司
地址：河南省郑州市高新技术开发区翠竹街863软件园9号楼821室
电话：13213220860
传真：0371-67993708